Simulation bidimensionnelle de l'effet des pièges profonds dans le substrat sur les caractéristiques des Transistors à Effet de Champ en Arséniure de Gallium (GaAs FETs).
Title: Simulation bidimensionnelle de l'effet des pièges profonds dans le substrat sur les caractéristiques des Transistors à Effet de Champ en Arséniure de Gallium (GaAs FETs).
Major: Physique
Subject: Thèse de Master
Description:
University: Université de Biskra
Uploaded on: 2018-08-20
Uploaded by: Omar

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