Modélisation Quantique d'un Transistor à Effet de Champ Hétéro-Jonction à Base SiGe par la Méthode des Volumes Finis.
Title: Modélisation Quantique d'un Transistor à Effet de Champ Hétéro-Jonction à Base SiGe par la Méthode des Volumes Finis.
Major: Physique
Subject: Thèse de Master
Description:
University: Université de Biskra
Uploaded on: 2018-08-20
Uploaded by: Omar

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